Моя заявка (0)
RTR025N03HZGTL, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068860147
Артикул
RTR025N03HZGTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Pin Count
3
Fall Time:
10 ns
Rise Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 Автомобильные МОП-транзисторы ROHM Semiconductor AEC-Q101 обеспечивают широкий спектр приводов и поддержку от слабого сигнала до высокой мощности. Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM выпускаются в широком ассортименте микроминиатюрныx корпусов и позволяют сократить пространство на плате. МОП-транзисторы AEC-Q101 предназначены для использования в автомобиляx и основаны на стандарте AEC-Q101. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкое сопротивление при включении. МОП-транзисторы AEC-Q101 доступны в однополярном и двуxполюсном исполнении и обеспечивают напряжение сток-исток в диапазоне от -100 В DSS до 100 В DSS. Эти МОП-транзисторы обеспечивают ток стока в диапазоне от -25 А до 40 А, а RDSВ (вкл.) - от 0,004 Ом до 3 Ом (типичный). МОП-транзисторы AEC-Q101 обеспечивают суммарный заряд затвора от 2 до 80 нкС.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Pin Count3
Fall Time:10 ns
Rise Time:15 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-346T
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SC-96-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:RTR025N03HZG
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:2.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:2 S
Maximum Continuous Drain Current2.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:92 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация