Моя заявка (0)

RTR020P02HZGTL, 20V 2A 135m-@2A,4.5V 700mW 2V@1mA P Channel 430pF@10V 4.9nC@4.5V +150-@(Tj) TSMT-3 MOSFETs

RTR020P02HZGTL, 20V 2A 135m-@2A,4.5V 700mW 2V@1mA P Channel 430pF@10V 4.9nC@4.5V +150-@(Tj) TSMT-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070073840
Артикул
RTR020P02HZGTL
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
0.03
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Цена по запросу
(от 90,08 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -20V P-CHANNEL -2A

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.03
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-346T
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада12 ns
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSC-96-3
Maximum Drain Source Voltage20 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора4.9 nC
Время нарастания13 ns
Maximum Continuous Drain Current2 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности1 W
Id - непрерывный ток утечки2 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток135 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения38 ns
Типичное время задержки при включении11 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.1.2 S

Техническая документация