RTQ035N03TR, SOT-457T MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015807128
- Артикул
- RTQ035N03TR
- Бренд
- Rohm
- Type
- MOSFET
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- RTQ035N03
- Product
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 24,68 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | MOSFET |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | RTQ035N03 |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 12 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 12 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.04 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-457T-6 |
| Part # Aliases | RTQ035N03 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 29 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 38 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |