RTQ025P02HZGTR, MOSFETs MOSFET Pch -20V -2.5A, DriveVoltage:-2.5 SOT457T, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070060605
- Артикул
- RTQ025P02HZGTR
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- P Channel
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Power Dissipation
- 1.25Вт
Цена по запросу
(от 90,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -20V P-CHANNEL -2.5A
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | P Channel |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 1.25Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 17 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-457T-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 6.4 nC |
| Время нарастания | 20 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.072Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-457T |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.072Ом |