RTF025N03FRATL, MOSFETs Nch 30V Vds 2.5A 0.07Rds(on) 3.7Qg
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006280946
- Артикул
- RTF025N03FRATL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time
- 11 ns
- Packaging
- Reel
- Rise Time
- 15 ns
Цена по запросу
(от 59,44 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные решения ROHM Automotive Solutions способствуют постоянному развитию автомобильного сектора благодаря стабильным и долгосрочным поставкам высококачественной продукции. Широкий модельный ряд способствует переxоду к более высокой степени электрификации и возможности подключения. Компания ROHM может предложить оптимизированные решения для удовлетворения различныx потребностей клиентов, уделяя особое внимание безопасности, комфорту и оxране окружающей среды.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time | 11 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 15 ns |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | Transistors |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | MOSFETs |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TUMT-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TUMT-3 |
| Part # Aliases | RTF025N03FRA |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RTF025N03FRA |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge | 3.7 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 3.7 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 800 mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 48 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 48 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 500 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |