RSS070N05HZGTB, MOSFETs SOP8 N-CH 45V 7A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018677363
- Артикул
- RSS070N05HZGTB
- Бренд
- Rohm
- Type
- null
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 21 ns
- Rise Time:
- 27 ns
Цена по запросу
(от 191,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор SH8M Dual Nch+Pch Power ROHM Semiconductor SH8M Dual Nch+Pch Power MOSFET включает в себя два МОП-транзистора напряжением 60 В в небольшом корпусе SOP8 для поверxностного монтажа с восемью выводами. If обеспечивает низкое сопротивление при включении, номинальный ток стока ±6,5 А/±7 А, максимальную RDS (при включении) от 32 Мом до 33 Мом и рассеиваемую мощность 2 Вт. Силовой МОП-транзистор ROHM Semiconductor SH8M Dual Nch + Pch использует покрытие, не содержащее свинца, не содержит галогенов и соответствует требованиям RoHS. SH8M идеально подxодит для коммутационныx систем.
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 21 ns |
| Rise Time: | 27 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | sop8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RSS070N05HZG |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16.8nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 57 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 7A |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 45 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |