Моя заявка (0)

RSS065N06HZGTB, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 6.5 A, 0.024 ohm, SOP, Surface Mount

RSS065N06HZGTB, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 6.5 A, 0.024 ohm, SOP, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007121001
Артикул
RSS065N06HZGTB
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Series
RRS065
Pin Count
8
Fall Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 241 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

RSS065N06HZG N-канальный МОП-транзистор мощностью 60 В 6,5 А N-канальный МОП-транзистор ROHM Semiconductor RSS065N06HZG мощностью 60 В 6,5 А представляет собой устройство с низким сопротивлением, размещенное в небольшом корпусе для поверxностного монтажа (SOP8). RSS065N06HZG не содержит свинца и соответствует требованиям RoHS. МОП-транзисторы также не содержат галогенов, имеют покрытие Sn100% и соответствуют стандарту AEC-Q101.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
SeriesRRS065
Pin Count8
Fall Time:20 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:25 ns
Вес, г5.67
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeSOP
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOP-8
Part # Aliases:RSS065N06HZG
Transistor Type:Power MOSFET
Power Dissipation2Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:11 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2 W
КвалификацияAEC-Q101
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Typical Turn-Off Delay Time:60 ns
Id - Continuous Drain Current:6.5 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.037 Ohm
Drain Source On State Resistance0.024Ом
Maximum Continuous Drain Current6.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:37 mOhms
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Непрерывный Ток Стока6.5А
Рассеиваемая Мощность2Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSOP
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.024Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.024 Ом

Техническая документация