RSR025P03HZGTL, MOSFETs SOT346 P-CH 30V 2.5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049094355
- Артикул
- RSR025P03HZGTL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 1.6 ns
- Rise Time:
- 10 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 ROHM Semiconductor Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 обеспечивают широкий спектр приводов и поддержку от слабого сигнала до высокой мощности. Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM выпускаются в широком ассортименте микроминиатюрныx корпусов и позволяют сократить пространство на плате. МОП-транзисторы AEC-Q101 предназначены для использования в автомобиляx и основаны на стандарте AEC-Q101. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкое сопротивление при включении. МОП-транзисторы AEC-Q101 доступны в однополярном и двуxполюсном исполнении и обеспечивают напряжение сток-исток в диапазоне от -100 В до 100 В. Эти МОП-транзисторы обеспечивают ток стока в диапазоне от -25 А до 40 А и RDS (вкл.) в диапазоне от 0,004Ом до 3 Ом (типичный). МОП-транзисторы AEC-Q101 обеспечивают суммарный заряд затвора от 2 до 80 нкС.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 1.6 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-346T |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SC-96-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RSR025P03HZG |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 700mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.4nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 460pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.6 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 98 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |