Моя заявка (0)

RSR010N10HZG Type N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 RSR010N10HZGTL

RSR010N10HZG Type N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 RSR010N10HZGTL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030984191
Артикул
RSR010N10HZGTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Pin Count
3
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
9 ns
Цена по запросу
(от 154,91 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальный МОП-транзистор ROHM small signal MOSFET - это МОП-транзистор с низким сопротивлением для автомобильной промышленности, подxодящий для применения в преобразователяx постоянного тока.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Pin Count3
Fall Time:15 ns
Rise Time:9 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-346T
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SC-96-3
Part # Aliases:RSR010N10HZG
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Maximum Drain Source Voltage100 V
Typical Turn-Off Delay Time:22 ns
Id - Continuous Drain Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1 S
Maximum Continuous Drain Current1 A
Rds On - Drain-Source Resistance:520 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Крутизна характеристики, S1
Пороговое напряжение на затворе2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация