Моя заявка (0)

RSQ035P03HZGTR, MOSFETs Transistor, MOSFET Pch -30V -3.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T

RSQ035P03HZGTR, MOSFETs Transistor, MOSFET Pch -30V -3.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005508956
Артикул
RSQ035P03HZGTR
Бренд
Rohm
Pin Count
6
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P Channel
Цена по запросу
(от 93,50 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -30V P-CHANNEL -3.5A

Технические параметры

Pin Count6
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP Channel
Package TypeSOT-457T
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation1.25Вт
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада25 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSC-95-6
Maximum Drain Source Voltage30 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора9.2 nC
Время нарастания35 ns
Drain Source On State Resistance0.045Ом
Maximum Continuous Drain Current3.5 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока3.5А
Рассеиваемая Мощность1.25Вт
Полярность транзистораP-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Pd - рассеивание мощности1.25 W
Id - непрерывный ток утечки3.5 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораTSMT
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения45 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.045Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.2 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.95
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)110 mOhms

Техническая документация