RSQ020N03HZGTR, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066258242
- Артикул
- RSQ020N03HZGTR
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 1.25Вт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 86,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL 2A
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 1.25Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 4 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-95-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 2.2 nC |
| Время нарастания | 9 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.096Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 134 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.096Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S |