RSQ015P10TR, TSMT6 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015799448
- Артикул
- RSQ015P10TR
- Бренд
- Rohm
- Type
- P Channel
- Series
- RSQ015P10
- Packaging
- Reel
- Technology
- Si
Цена по запросу
(от 9,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 1,5 А 470mOhm@1.5A, 10 В 600 МВт 2.5V@1mA P-канальные МОП-транзисторы SC-95 ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Series | RSQ015P10 |
| Packaging | Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.04 |
| Subcategory | Transistors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | MOSFETs |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-457T-6 |
| Part # Aliases | RSQ015P10 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge | 17 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Power Dissipation (Pd) | 600mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 950pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.5A |
| Id - Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 470 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 470mΩ@1.5A, 10V |