RSM002P03T2L, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015762931
- Артикул
- RSM002P03T2L
- Бренд
- Rohm
- Type
- P Channel
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Product:
- MOSFET Small Signals
Цена по запросу
(от 12,39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 200 мА 1.4Ohm@200mA,10 В 150 МВт 2.5V@1mA P-канальные МОП-транзисторы SOT-723 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 40 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-723-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RSM002P03 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 30pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4Ω@200mA, 10V |