RSJ650N10TL, MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005508953
- Артикул
- RSJ650N10TL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 2
- Серия
- RSJ650N10
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 1 020 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 4V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Серия | RSJ650N10 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 260 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Другие названия товара № | RSJ650N10 |
| Id - непрерывный ток утечки | 65 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |