RSH070P05GZETB, MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006232580
- Артикул
- RSH070P05GZETB
- Бренд
- Rohm
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 50 ns
- Rise Time:
- 35 ns
Цена по запросу
(от 249,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
45 В, 7 А, 27 Мом при 7 А, 10 В, 2 Вт 2.5V@1mA 1шт-канальные МОП-транзисторы SOP-8, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 50 ns |
| Rise Time: | 35 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RSH070P05 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 47.6 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 47.6nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.1nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 135 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 7A |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |