RSF015N06 N-Channel MOSFET, 1.5 A, 60 V, 3-Pin SOT-323 RSF015N06TL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038650554
- Артикул
- RSF015N06TL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series
- RSF015N06
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series | RSF015N06 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-323 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot-323 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-323-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RSF015N06 |
| Transistor Type: | 1 N-channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Maximum Power Dissipation | 800 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 350 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 290 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.21 Ом |