Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026308052
Артикул
RSE80R850D
Бренд
REASUNOS
Вес, г
0.96
Корпус
TO-252
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
66W
Цена по запросу
(от 85,54 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.96
КорпусTO-252
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)66W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)13.7nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)635pF@500V
Continuous Drain Current (Id)7A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)2.5pF@500V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт66
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.74Ω@10V, 1.6A