Моя заявка (0)

RS7E200BGTB1,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Surface Mount

RS7E200BGTB1,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046493304
Артикул
RS7E200BGTB1
Бренд
Rohm
Brand
ROHM
Series
RS7E200
Pin Count
8
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 990 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор ROHM с низким сопротивлением и высокой мощностью подxодит для коммутации, электроприводов и преобразователей постоянного тока.

Технические параметры

BrandROHM
SeriesRS7E200
Pin Count8
Mount TypeSurface
Вес, г0.01
Package TypeDFN5060-8S
Product TypeSingle MOSFETs
Forward Voltage Vf1.2V
СтруктураN-Channel
Automotive StandardNo
Standards/ApprovalsPb Free, Halogen Free, RoHS
Особенности-
Maximum Power Dissipation Pd180W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs135nC
Maximum Operating Temperature150°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs±20 V
Maximum Drain Source Voltage Vds30V
Maximum Continuous Drain Current Id390A
Maximum Drain Source Resistance Rds0.67mΩ
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А390
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация