Моя заявка (0)
RS6 N-Channel MOSFET, 135 A, 80 V, 8-Pin HSOP8 RS6N120BHTB1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049944690
Артикул
RS6N120BHTB1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
35 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
47 ns
Цена по запросу
(от 498 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор RS6N120BH N-канальный силовой МОП-транзистор ROHM Semiconductor RS6N120BH - это компактный МОП-транзистор с низким уровнем потерь, оснащенный Cu-зажимной структурой, обеспечивающей высокую эффективность работы. Система увеличивает пропускную способность по току при одновременном снижении сопротивления корпуса. Эта особенность делает RS6N120BH идеальным решением для приводов, работающиx от источников питания 24 В/36 В/48 В.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:35 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:47 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусsop8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:HSOP-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:53 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:104 W
Vgs - Gate-Source Voltage:+20 V
Typical Turn-On Delay Time:32 ns
Typical Turn-Off Delay Time:73 ns
Id - Continuous Drain Current:135 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:42 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А135
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация