RS6 N-Channel MOSFET, 210 A, 40 V, 8-Pin HSOP8 RS6G120BHTB1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8049944657
Артикул: RS6G120BHTB1
Бренд: Rohm
Brand:: ROHM Semiconductor
Fall Time:: 56 ns
Packaging:: Reel, Cut Tape
Rise Time:: 36 ns

Цена по запросу

(от 485 ₽)

Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы RS6/RH6 Cu-Clip в корпусе ROHM Semiconductor N-канальные силовые МОП-транзисторы RS6/RH6 Cu-Clip в корпусе ROHM Semiconductor обеспечивают высокую пропускную способность при пониженном сопротивлении корпуса. Комплектные компоненты HSOP-8 и HSMT-8 обеспечивают одновременно низкое сопротивление включению и низкую емкость заряда затвора, сводя к минимуму потери энергии. Работающие в диапазоне температур от -55°C до +150°C, эти МОП-транзисторы идеально подxодят для приводов, работающиx от источников питания 24 В/36 В/48 В.

Технические параметры

Brand:	ROHM Semiconductor
Fall Time:	56 ns
Packaging:	Reel, Cut Tape
Rise Time:	36 ns
Вес, г	1
Technology:	Si
Subcategory:	Transistors
Корпус	sop8
Channel Mode:	Enhancement
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Package/Case:	HSOP-8
Product Type:	MOSFETs
Configuration:	Single
Mounting Style:	SMD/SMT
Product Category:	MOSFETs
Структура	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Transistor Polarity:	N-Channel
Factory Pack Quantity:	2500
Особенности	-
Pd - Power Dissipation:	104 W
Typical Turn-On Delay Time:	40 ns
Typical Turn-Off Delay Time:	80 ns
Id - Continuous Drain Current:	210 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Forward Transconductance - Min:	55 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	210
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В