Моя заявка (0)
RS6G120BHTB1, MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 120A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031940633
Артикул
RS6G120BHTB1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
56 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
36 ns
Цена по запросу
(от 315,61 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы RS6/RH6 Cu-Clip в корпусе ROHM Semiconductor N-канальные силовые МОП-транзисторы RS6/RH6 Cu-Clip в корпусе ROHM Semiconductor обеспечивают высокую пропускную способность при пониженном сопротивлении корпуса. Комплектные компоненты HSOP-8 и HSMT-8 обеспечивают одновременно низкое сопротивление включению и низкую емкость заряда затвора, сводя к минимуму потери энергии. Работающие в диапазоне температур от -55°C до +150°C, эти МОП-транзисторы идеально подxодят для приводов, работающиx от источников питания 24 В/36 В/48 В.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:56 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:36 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsop8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:HSOP-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:104 W
Typical Turn-On Delay Time:40 ns
Typical Turn-Off Delay Time:80 ns
Id - Continuous Drain Current:210 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:55 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.38 mOhms