Моя заявка (0)
RS6G120BGTB1, MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 210A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018730181
Артикул
RS6G120BGTB1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
98 ns
Rise Time:
24 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 388,76 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы RS6/RH6 Cu-Clip в корпусе ROHM Semiconductor N-канальные силовые МОП-транзисторы RS6/RH6 Cu-Clip в корпусе ROHM Semiconductor обеспечивают высокую пропускную способность при пониженном сопротивлении корпуса. Комплектные компоненты HSOP-8 и HSMT-8 обеспечивают одновременно низкое сопротивление включению и низкую емкость заряда затвора, сводя к минимуму потери энергии. Работающие в диапазоне температур от -55°C до +150°C, эти МОП-транзисторы идеально подxодят для приводов, работающиx от источников питания 24 В/36 В/48 В.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:98 ns
Rise Time:24 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsop8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:HSOP-8
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:RS6G120BG
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:67 nC
СтруктураN-Channel
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:104 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:24 ns
Typical Turn-Off Delay Time:90 ns
Id - Continuous Drain Current:210 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.34 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А210
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В