Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069261339
Артикул
RS4435
Бренд
REASUNOS
Вес, г
0.18
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
3.2W
Особенности
-
Цена по запросу
(от 17,27 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.18
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)3.2W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)30nC@10V
Drain Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.8nF@15V
Continuous Drain Current (Id)10A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)1.6V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)216pF@15V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V, 10A
Пороговое напряжение на затворе1.6V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)15mΩ@10V, 10A