RS3E180ATTB1, 30V 18A 1.4W 5.4mOhm@18A,10V 2.5V@5mA 1 PIece P-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072492412
- Артикул
- RS3E180ATTB1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Fall Time:
- 245 ns
Цена по запросу
(от 263,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 245 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 49 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.12 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RS3E180AT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 160 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 18A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W(Ta) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 295 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.4 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200 pF @ 15 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |