Моя заявка (0)
RS1P090ATTB1, MOSFETs HSOP8 100V 33A P CHAN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024478469
Артикул
RS1P090ATTB1
Бренд
Rohm
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 423 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 100 В 9А (Ta), 33А (Tc), 3 Вт (Ta), 40 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 8-HSOP

Технические параметры

FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Корпусsop8
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 9A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)3W(Ta), 40W(Tc)
Supplier Device Package8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5650 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A(Ta), 33A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе2.1V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)25mΩ@10A, 10V

Техническая документация