RS1N110ATTB1,Power MOSFET, P Channel, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046469592
- Артикул
- RS1N110ATTB1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 140 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 41 ns
Цена по запросу
(от 560 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 140 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 41 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | HSOP-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 135 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 360 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 43 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 19 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.021 Ом |