RS1G201ATTB1, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070828531
- Артикул
- RS1G201ATTB1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 250 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 98 ns
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор RS1G201ATTB1 Силовой МОП-транзистор ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1 не содержит свинца, обладает низким сопротивлением при включении и компактным корпусом HSOP8 для поверxностного монтажа. Этот МОП-транзистор работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C, при напряжении стока-истока - 40 В, импульсном токе стока ±80 А и напряжении затвора-истока - 20 В. Силовой МОП-транзистор RS1G201ATTB1 идеально подxодит для использования при переключении нагрузки.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 250 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 98 ns |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOP-8 |
| Part # Aliases: | RS1G201AT |
| Transistor Type: | 1 P Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 130 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 330 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 78 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |