RS1G120MNTB, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070193184
- Артикул
- RS1G120MNTB
- Бренд
- Rohm
- Type:
- Power MOSFET
- Width
- 5.8mm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series
- RS1G120MN
Цена по запросу
(от 59,11 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Type: | Power MOSFET |
| Width | 5.8mm |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series | RS1G120MN |
| Product: | MOSFET |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 3.2 ns |
| Rise Time: | 4.3 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HSOP8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOP-8 |
| Part # Aliases: | RS1G120MN |
| Transistor Type: | 1 N-channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.4 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23.8 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 20.7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |