RS1E350BNTB, MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062099489
- Артикул
- RS1E350BNTB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.78
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Время спада
- 105 ns
Цена по запросу
(от 244,77 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.78 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 105 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | HSOP-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 185 nC |
| Время нарастания | 215 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Другие названия товара № | RS1E350BN |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 235 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |