RS1E200GNTB, MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062800497
- Артикул
- RS1E200GNTB
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 8.4 ns
- Rise Time:
- 7.2 ns
- Вес, г
- 0.78
Цена по запросу
(от 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 8.4 ns |
| Rise Time: | 7.2 ns |
| Вес, г | 0.78 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOP-8 |
| Part # Aliases: | RS1E200GN |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 18 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |