Моя заявка (0)
P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 3-Pin SOT-346T RRR040P03HZGTL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030984185
Артикул
RRR040P03HZGTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Pin Count
3
Fall Time:
45 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 127,37 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальный МОП-транзистор ROHM small signal MOSFET - это МОП-транзистор для коммутации, высоконадежный автомобильный продукт, соответствующий стандарту AEC-Q101.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Pin Count3
Fall Time:45 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:30 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-346T
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SOT-346T-3
Product Type:MOSFET
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:RRR040P03HZG
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:10.5 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Typical Turn-Off Delay Time:85 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:2.7 S
Maximum Continuous Drain Current4 A
Rds On - Drain-Source Resistance:45 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация