RRR040P03HZGTL, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009386947
- Артикул
- RRR040P03HZGTL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 45 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
RRR0x0P03HZG Автомобильные МОП-транзисторы с малым сигналом ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG Автомобильные МОП-транзисторы с малым сигналом - это МОП-транзисторы с низким сопротивлением и встроенными диодами защиты G-S. Эти МОП-транзисторы обеспечивают напряжение стока к источнику 30 В (VDSS) и рассеиваемую мощность 1 Вт (PD). МОП-транзистор RRR030P03HZG обеспечивает постоянный ток стока (ID) ±3 А, а МОП-транзистор RRR040P03HZG обеспечивает ID ±4 А. Эти МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и поставляются с не содержащими свинца покрытиями. МОП-транзисторы RRR0x0P03HZG выпускаются в небольшом корпусе для поверxностного монтажа TSMT3. Эти МОП-транзисторы подxодят для преобразователей постоянного тока.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 45 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-346T |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-346T-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RRR040P03HZG |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.5 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.7 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.032 Ом |