Моя заявка (0)

RRR030P03TL, 30V 3A 55m-@10V,3A 1W 2.5V@1mA 70pF@10V P Channel 480pF@10V 5.2nC@5V +150-@(Tj) SOT-346T-3 MOSFETs ROHS

RRR030P03TL, 30V 3A 55m-@10V,3A 1W 2.5V@1mA 70pF@10V P Channel 480pF@10V 5.2nC@5V +150-@(Tj) SOT-346T-3 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015806313
Артикул
RRR030P03TL
Бренд
Rohm
Brand
ROHM Semiconductor
Packaging
Cut Tape or Reel
Technology
Si
Вес, г
0.06
Цена по запросу
(от 23,52 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, P-CH, -30V, -3A, TSMT, Полярность транзистора: Канал P, Постоянный ток стока Id: -3A, Напряжение источника стока Vds: -30 В, Сопротивление Rds(включено): 0,055 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs: -10 В, Пороговое напряжение Vgs:-2,5 В, Питание, соответствует RoHS: Да

Технические параметры

BrandROHM Semiconductor
PackagingCut Tape or Reel
TechnologySi
Вес, г0.06
SubcategoryMOSFETs
ManufacturerROHM Semiconductor
Product TypeMOSFET
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-346T-3
Part # AliasesRRR030P03
Transistor Type1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge5.2 nC
Number Of Channels1 Channel
СтруктураP-Channel
Transistor PolarityP-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation1 W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Id - Continuous Drain Current3 A
Rds On - Drain-Source Resistance55 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация