RRQ020P03TCR, MOSFETs Trans MOSFET P-CH 30V 2A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006337723
- Артикул
- RRQ020P03TCR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 20 ns
- Rise Time:
- 15 ns
- Вес, г
- 0.57
Цена по запросу
(от 76,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 0.57 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-457-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RRQ020P03 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 3.2 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.5 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 115 mOhms |