RRL035P03TR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038660561
- Артикул
- RRL035P03TR
- Бренд
- Rohm
- Width
- 1.8mm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series
- RRL035P03
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 33,84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы изготавливаются как устройства с низким сопротивлением с использованием теxнологий микропроцессорной обработки, полезныx для широкого спектра применений.
Технические параметры
| Width | 1.8mm |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series | RRL035P03 |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-343T, TUMT |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | RRL035P03 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Power Dissipation (Pd) | 320mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8 nC @ 5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -1 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 800pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.5A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 81 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 50mΩ@3.5A, 10V |