RRL035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070123932
- Артикул
- RRL035P03FRATR
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 1Вт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 66,81 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Pch -30V Vds -3.5A 0.058Rds(on) 8Qg
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 40 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single Quad Drain |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TUMT-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Время нарастания | 9 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.036Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 3.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Другие названия товара № | RRL035P03FRA |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.5 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TUMT |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 36 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.036Ом |