Моя заявка (0)

RQ7P035ATTCR,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 3.5 A, 0.111 ohm, TSMT, Surface Mount

RQ7P035ATTCR,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 3.5 A, 0.111 ohm, TSMT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046469583
Артикул
RQ7P035ATTCR
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
90 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
12 ns
Цена по запросу
(от 260 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:90 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:12 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TSMT-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:40 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.5 W
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:190 ns
Id - Continuous Drain Current:3.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Forward Transconductance - Min:6.5 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.111 Ом