RQ7G080ATTCR, 40V 8A 18.2m-@8A,10V 1.1W 2.5V@1mA P Channel 2060pF@20V 37nC@10V +150-@(Tj) TSMT-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017583418
- Артикул
- RQ7G080ATTCR
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.03
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 1.5Вт
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 65,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 1.5Вт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0147Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 90mΩ@3A, 10V |