RQ6G050ATTCR, 40V 5A 40m-@5A,10V 950mW 2.5V@1mA P Channel 1100pF@20V 22nC@10V +150-@(Tj) TSMT-6(SC-95) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017583207
- Артикул
- RQ6G050ATTCR
- Бренд
- Rohm
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 36 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 5 А, 40 Мом при 5 А, 10 В 950 МВт 2.5V@1mA 1шт-канальные МОП-транзисторы SC-95 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 36 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SC-95-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RQ6G050AT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | - |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 950mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.1nF@20V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.95 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40mΩ@5A, 10V |