RQ6E085BNTCR, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062339524
- Артикул
- RQ6E085BNTCR
- Бренд
- Rohm
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 0.1
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 129,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Nch 30V 8.5A Si МОП-транзистор
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.1 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 31 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 32.7nC@10V |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-457-6 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.35nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 8.5A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 32.7 nC |
| Время нарастания | 16 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Другие названия товара № | RQ6E085BN |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |