RQ6E080AJTCR, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070195284
- Артикул
- RQ6E080AJTCR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 22 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 85,98 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 22 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-457-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RQ6E080AJ |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 1.25Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.2 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.0125Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16.5 mOhms |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-457T |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |