RQ6E060ATTCR, MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -6.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006231797
- Артикул
- RQ6E060ATTCR
- Бренд
- Rohm
- Width
- 1.8mm
- Series
- RQ6E060AT
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 92,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.8mm |
| Series | RQ6E060AT |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TSMT-6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25.9 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 34.6 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 6 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |