RQ6E050ATTCR, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070183523
- Артикул
- RQ6E050ATTCR
- Бренд
- Rohm
- Width
- 1.8mm
- Series
- RQ6E050AT
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 59,85 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P-CH, -30 В, -5 А, TSMT-6; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -5 А; Напряжение источника стока Vds: -30 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,021 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: -10 В; Пороговое значение Напряжение Vgs: -2,5 В; Рассеиваемая мощность Pd: 1,25 Вт; Тип корпуса транзистора: TSMT; Количество контактов: 6; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC: Без SVHC (15 января 2018 г.)
Технические параметры
| Width | 1.8mm |
| Series | RQ6E050AT |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TSMT-6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RoHS Compliant | Yes |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Transistor Configuration | Dual Base |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20.8 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -18 V, +18 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 38 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |