Моя заявка (0)

RQ6E050AJTCR, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, TSMT, Surface Mount

RQ6E050AJTCR, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, TSMT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000100081
Артикул
RQ6E050AJTCR
Бренд
Rohm
Вес, г
5.577
Channel Type
N Channel
Упаковка
Reel, Cut Tape
Power Dissipation
1.25Вт
Цена по запросу
(от 112 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V N-CHANNEL 5A

Технические параметры

Вес, г5.577
Channel TypeN Channel
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation1.25Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5.7 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-457-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора4.7 nC
Время нарастания5.9 ns
Drain Source On State Resistance0.026Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока5А
Рассеиваемая Мощность1.25Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Pd - рассеивание мощности1.25 W
Другие названия товара №RQ6E050AJ
Id - непрерывный ток утечки5 A
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораTSMT
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150 C
Типичное время задержки выключения26 ns
Типичное время задержки при включении8.8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток500 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.026Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.026 Ом

Техническая документация