Моя заявка (0)
RQ6C050UNTR, MOSFETs 1.5V Drive Nch MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005508924
Артикул
RQ6C050UNTR
Бренд
Rohm
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
1.25Вт
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 58,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 1.5V Drive Nch МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Power Dissipation1.25Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада100 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-457-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора12 nC
Время нарастания25 ns
Drain Source On State Resistance0.022Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока5А
Рассеиваемая Мощность1.25Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1В
Pd - рассеивание мощности1.25 W
Другие названия товара №RQ6C050UN
Id - непрерывный ток утечки5 A
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-457T
Vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток22 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе-10 V, +10 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения70 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток300 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1.5
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.022Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация