Моя заявка (0)

RQ6A050ZPTR, Power MOSFET, P Channel, 12 V, 5 A, 0.019 ohm, SOT-457T, Surface Mount

RQ6A050ZPTR, Power MOSFET, P Channel, 12 V, 5 A, 0.019 ohm, SOT-457T, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001803150
Артикул
RQ6A050ZPTR
Бренд
Rohm
Вес, г
0.012
Channel Type
P Channel
Упаковка
Reel, Cut Tape
Power Dissipation
1.25Вт
Цена по запросу
(от 155 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -12V P-CHANNEL -5A

Технические параметры

Вес, г0.012
Channel TypeP Channel
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation1.25Вт
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада225 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-457-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора35 nC
Время нарастания100 ns
Drain Source On State Resistance0.019Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока5А
Рассеиваемая Мощность1.25Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Pd - рассеивание мощности1.25 W
Другие названия товара №RQ6A050ZP
Id - непрерывный ток утечки5 A
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds12В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-457T
Vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток26 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@1mA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Типичное время задержки выключения420 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток300 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.019Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.019 Ом

Техническая документация