RQ6A045ZPTR, MOSFETs Transistor, MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin TSMT T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004726352
- Артикул
- RQ6A045ZPTR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 215 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 75 ns
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 215 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 75 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-457-6 |
| Part # Aliases: | RQ6A045ZP |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 390 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 300 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +10 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 35 mOhms |