Моя заявка (0)
RQ5P010SNTL, MOSFETs Transistor, 4V Drive Nch MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004726351
Артикул
RQ5P010SNTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
15 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
9 ns
Цена по запросу
(от 70,64 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:15 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:9 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-346-3
Part # Aliases:RQ5P010SN
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:22 ns
Id - Continuous Drain Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:520 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В