Моя заявка (0)
RQ5L020SNTL, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070168465
Артикул
RQ5L020SNTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
6 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:6 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:10 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-346-3
Part # Aliases:RQ5L020SN
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation1Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:2.7 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.12Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:170 mOhms
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Непрерывный Ток Стока2А
Рассеиваемая Мощность1Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-346T
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.12Ом

Техническая документация