RQ5L015SPTL, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022274445
- Артикул
- RQ5L015SPTL
- Бренд
- Rohm
- Type:
- Power MOSFET
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Product:
- MOSFETs
- Fall Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 21,41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P-CH, -60 В, -1,5 А, TSMT, Полярность транзистора: Канал P, Постоянный ток стока Id: -1,5 А, Напряжение источника стока Vds: -60 В, Сопротивление Rds(включено): 0,2 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs: -10 В, Пороговое напряжение Vgs:-3 В, питание, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| Type: | Power MOSFET |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Product: | MOSFETs |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-346-3 |
| Part # Aliases: | RQ5L015SP |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 360 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом |